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J-GLOBAL ID：201902267296367561   整理番号：19A1416080

2D結晶PtSe_2の層数と歪依存バンドギャップの機構【JST・京大機械翻訳】

The mechanism of layer number and strain dependent bandgap of 2D crystal PtSe₂

著者 (4件)： Zhang Wenxu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China) ,  Qin Jiantao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China) ,  Huang Zhishuo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China) ,  Zhang Wanli (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 20  ページ： 205701-205701-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温でのその有望な高い電子移動度の他に,PtSe_2は,密度汎関数理論に基づく計算に従って,van der Waals相互作用によって結合された単分子層の数に敏感に有限のバンドギャップを有する。価電子帯最大と伝導帯極小のフロンティア軌道は主にSeのp_zとp_x_+_y軌道により寄与し,面外と面内格子定数に敏感であることが分かった。van der Waals力は結合面外を強化し,それは面内結合に影響する。層数依存バンドギャップは上記のシナリオに基づく歪依存バンドギャップと同じ電子的理由を持つことを説明した。本研究は,広い範囲でPtSe_2の電子的および光学的性質を調整する柔軟性を示し,それはセンサにおけるPtSe_2の応用のための利点を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単分子層 ,  センサ ,  価電子バンド ,  *バンドギャップ ,  光学的性質 ,  密度汎関数法 ,  van der Waals力 ,  *セレン ,  *二次元 ,  格子定数 ,  柔軟性 ,  伝導バンド ,  *結晶 ,  フロンティア軌道
準シソーラス用語： 電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2D ,  結晶 ,  層 ,  歪 ,  バンドギャップ