ディップコーティング法を用いたCdS/PVAナノ構造薄膜の構造と光学特性に及ぼすアニーリング温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Dhatchinamurthy L.; Dhatchinamurthy L.; Thirumoorthy P.; Arunraja L.; Subramanian R.

文献

J-GLOBAL ID：201902267540530045 整理番号：19A1597147

ディップコーティング法を用いたCdS/PVAナノ構造薄膜の構造と光学特性に及ぼすアニーリング温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Annealing Temperature on the Structural and Optical Properties of CdS/PVA Nanostructure Thin Films Using Dip Coating Method

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資料名：
巻： 30 号： 3 ページ： 827-835 発行年： 2019年
JST資料番号： W4544A ISSN： 1572-8862 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

硫化カドミウム/ポリビニルアルコール(CdS/PVA)ナノ複合材料薄膜をディップコーティング法によりガラス基板上に調製した。調製した試料をそれぞれ323,373および423Kでアニールし,アニーリングなしで一つの試料を調製し,すべてのナノ構造薄膜をX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡,X線回折(UV-Vis),光ルミネセンス(PL)スペクトルおよびFourier変換赤外分光光度計(FTIR)により特性化した。XRDの結果は,異なる粒径のナノ複合材料の六方晶構造を明らかにした。SEM画像は,両方の膜が滑らかな表面で均一であることを示したが,この試料の中で,アニールした試料373Kはより良い結果を与えた。調製したままとアニールしたCdS/PVAナノ複合材料の元素組成をEDAXにより分析した。PLスペクトルとUV-Visスペクトルから,量子閉込めと光学バンドギャップのシフトの効果を計算した。光学バンドギャップのシフトから,粒子のサイズを計算した。FTIR分析は,高分子マトリックス成長CdS/PVA薄膜の形成を明確に示した。373KでアニールしたCdS/PVA薄膜は太陽電池応用の窓層により適切であることが分かった。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 固体デバイス材料

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