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J-GLOBAL ID：201902267788705764   整理番号：19A2835253

垂直磁気異方性を有するビスマス置換イットリウム鉄ガーネット膜の磁気特性【JST・京大機械翻訳】

Magnetic properties of bismuth substituted yttrium iron garnet film with perpendicular magnetic anisotropy
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著者 (5件)：
Liu Xiuting

Liu Xiuting について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China について

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Yang Qinghui

Yang Qinghui について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China について

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Zhang Ding

Zhang Ding について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China について

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Wu Yujuan

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(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China について

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Zhang Huaiwu

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(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People’s Republic of China について


資料名：
AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))

AIP Advances (Web) について


巻： 9  号： 11  ページ： 115001-115001-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本論文において,Y_2Bi_1Fe_5O_12膜を,無線周波数マグネトロンスパッタリングによって置換ガドリニウムガリウムガーネット基板上に成長させて,それらの磁気特性を研究した。20nm厚膜は,膜の応力誘起異方性と表面粗さの組合せ効果下で,最良の垂直磁気異方性(PMA)を持つことを見出した。その面外磁化飽和に必要な印加磁場は90Oe,残留磁気比は0.8,保磁力は30Oe,減衰定数は3.37×10-3であった。膜のPMAは膜の厚さが増加するにつれて応力の緩和により減少し,厚さが40nmに達すると容易な磁化軸が面内になった。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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異方性

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*ビスマス

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保磁力

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磁化

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*イットリウム鉄ガーネット

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減衰定数

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ガドリニウムガリウムガーネット

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*磁気的性質

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厚膜

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*垂直磁気異方性

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残留磁化

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マグネトロンスパッタリング

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準シソーラス用語：
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印加磁場

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金属薄膜 
(BK14030T)

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,  磁電デバイス 
(NC03100X)

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(BM06060P)

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垂直磁気異方性

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イットリウム鉄ガーネット

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