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J-GLOBAL ID：201902267840420702   整理番号：19A0858285

MOS_2とWSe_2上のZnOの原子層堆積【JST・京大機械翻訳】

Atomic layer deposition of ZnO on MoS₂ and WSe₂

著者 (14件)： Walter Timothy N. (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Walter Timothy N. (Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Lee Sora (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Lee Sora (Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Zhang Xiaotian (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Chubarov Mikhail (2-Dimensional Crystal Consortium (2DCC), Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Redwing Joan M. (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Redwing Joan M. (2-Dimensional Crystal Consortium (2DCC), Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Redwing Joan M. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Jackson Thomas N. (Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Jackson Thomas N. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Mohney Suzanne E. (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Mohney Suzanne E. (Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Mohney Suzanne E. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 480  ページ： 43-51  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)は多くのナノスケール半導体デバイスの作製のための可能な技術である。本研究は,二次元(2D)材料MoS_2とWSe_2上のZnOのALDに焦点を合わせた。MoS_2とWSe_2の機械的に剥離したフレークと合体した膜を,125°CでZnOのALDとプラズマ増強ALD(PEALD)のための基板として作用させ,原子間力顕微鏡,Raman分光法,およびX線光電子分光法によって研究した。MoS_2とWSe_2表面は,欠陥を除いて,熱ALDの間に核形成に抵抗し,500サイクル以上の間,周囲のSiO_2基板上のZnOの選択的成長を可能にした。UV-O_3前処理はMoS_2とWSe_2に対して異なる結果を示した。MoS_2において,UV-O_3前処理は核形成の誘導に有効であった。ZnOは異なる厚さのフレークの異なる領域に堆積し,前処理なしで熱ALD中に堆積したZnOと異なり,合体した膜が形成された。WSe_2上では,ZnOは処理中に酸化された表面のあるより反応性のある領域にのみ核形成した。PEALDは,両方の材料上にZnOの均一で合体した膜を成長させるのに成功したが,試験した条件での酸化によってTMDの上部層を破壊した。ZnOと2D材料の界面は将来のナノスケール素子に使用でき,本研究は異なるALD法を用いて効果的に制御できることを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  半導体素子 ,  界面 ,  反応性 ,  フレーク ,  プラズマ ,  二次元 ,  選択成長 ,  *酸化亜鉛 ,  前処理 ,  Raman分光法 ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  基板
準シソーラス用語： ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 原子層堆積 ,  酸化亜鉛 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  プラズマ増強原子層堆積 ,  選択堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： ZnO ,  原子層堆積