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J-GLOBAL ID：201902267857089844   整理番号：19A1460113

炭化ケイ素結晶の成長温度測定と制御の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of the Growth Temperature Measurement and Control for Silicon Carbide Crystal

著者 (6件)： Zhang He (Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Beijing, China) ,  Han Meng (Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Beijing, China) ,  Ding Fa Zhu (Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Beijing, China) ,  Qu Fei (Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Beijing, China) ,  Li Hui (Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Beijing, China) ,  Gu Hong Wei (Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Beijing, China)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 954  ページ： 65-71  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素昇華成長るつぼの加熱温度を,中間周波数誘導コイルの出力パワーを調整することにより変化させ,異なる出力パワー下で焼結後の形態変化を観察するために,焼結実験を行った。対応する温度を測定し,出力と加熱温度の間の対応関係を得て,正確な温度制御を実現した。温度測定の結果を赤外光電高温計の結果と比較した。これに基づいて,SiC粒子を温度測定結果に従って調製した。Raman分光法の結果は,SiCポリタイプが6Hであり,SiC粒子分布が均一で,SiC粒子のサイズが均一で緻密であることを示した。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 坩堝 ,  中間周波数 ,  Raman分光法 ,  昇華 ,  *結晶 ,  赤外線 ,  *炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  焼結 ,  温度制御 ,  加熱温度 ,  *温度測定
準シソーラス用語： 粒子分布 ,  誘導コイル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 昇華 ,  温度測定 ,  SiCの成長 ,  熱場制御

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化 ,  ケイ素結晶 ,  成長 ,  温度測定 ,  研究