多層スペクトロメータを用いたアンジュレータ放射によるSiO<sub>2</sub>膜における屈折率改良

MORIWAKI K.; TANAKA S.; KANDA K.

文献

J-GLOBAL ID：201902267963956741 整理番号：19A0099151

多層スペクトロメータを用いたアンジュレータ放射によるSiO₂膜における屈折率改良

Refractive-index modifications in SiO₂ Films by Undurator Radiation with a multilayer spectrometer

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資料名：
巻： 19 ページ： 33-34 発行年： 2018年09月
JST資料番号： L4711A ISSN： 2189-6909 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

NewSUBARU(BL7A)によるアンジュレータ放射(UR)は,導波路のような光学素子の将来応用のためのSiO₂改質に使用されている。多層スペクトロメータによるURを試料照射に用いた。厳密な解析により,屈折率を1x10^-3以下の精度で測定した。得られた屈折率は,URピークエネルギーへの比較的平坦な依存性を示し,特に500mAh以下の低線量では,照射線量の増加により徐々に増加することを示した。UR照射によりSiO₂膜中に発生した欠陥が,屈折率増加の最も可能性のある理由である。SiO₂膜の欠陥により光吸収が増加するが,それと屈折率の間の相関は簡単ではない。(翻訳著者抄録)

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その他の物質の放射線による構造と物性の変化 , 電磁場中の粒子の運動及び放射

引用文献 (2件)：

K.Moriwaki et al., LASTI Annual Report 17, 55 (2015).
K.Moriwaki et al., LASTI Annual Report 18, 43 (2016).

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