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J-GLOBAL ID:201902267975083279   整理番号:19A0999329

水素終端ダイヤモンド(001)表面上のセレン原子の吸着と移動 第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Adsorption and migration of selenium atoms on a hydrogen-terminated diamond (0 0 1) surface: A first-principles study
著者 (7件):
資料名:
巻: 162  ページ: 186-198  発行年: 2019年 
JST資料番号: W0443A  ISSN: 0927-0256  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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生体材料応用のためのSeドープダイヤモンド膜の使用の可能性を研究するために,第一原理計算を行い,水素終端ダイヤモンド[H-Ter-D](001)表面上のセレン(Se)原子の吸着と移動を評価した。計算結果は,セレン原子が一般的に表面上に安定に吸着できないが,1つの開放ラジカルサイト(1ORS)を持つ表面上の表面炭素原子に結合し,吸着エネルギーは2.74eVであることを示した。さらに,セレン原子は2つの表面C原子と結合でき,吸着エネルギーは4.10eVから4.67eVであった。表面上のセレン原子の移動活性化エネルギーは約1.34eVであった。状態検査の密度は興味深い結果を示した。2ORSスラブの表面において,2つの表面C原子との結合後,セレン原子はもはや不対電子を持たず,その磁気モーメントは0μ_Bになった。この場合,堆積炭素原子は三重結合によりセレン原子と結合し,それからCSe分子は表面から脱着される。この結果は,直接セレンドーピング法が非常に低いセレン取り込みをもつSeドープダイヤモンド膜を作製できることを意味する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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吸着の電子論  ,  その他の触媒  ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  ,  半導体結晶の電子構造  ,  有害ガス処理法 

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