文献

J-GLOBAL ID：201902268006686996   整理番号：19A0656801

高移動度nチャネル電界効果トランジスタのためのフッ素化ジチエニルエテン-ナフタレンジイミド共重合体【JST・京大機械翻訳】

Fluorinated Dithienylethene-Naphthalenediimide Copolymers for High-Mobility n-Channel Field-Effect Transistors

著者 (12件)： Chen Zhihui (Organic Solids Laboratory, CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Chen Zhihui (China) ,  Zhang Weifeng (Organic Solids Laboratory, CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Huang Jianyao (Organic Solids Laboratory, CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Gao Dong (Organic Solids Laboratory, CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Gao Dong (China) ,  Wei Congyuan (Organic Solids Laboratory, CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Lin Zuzhang (Organic Solids Laboratory, CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Lin Zuzhang (School of Material Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, China) ,  Wang Liping (School of Material Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, China) ,  Yu Gui (Organic Solids Laboratory, CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Yu Gui (China)
資料名： Macromolecules  (Macromolecules)
巻： 50  号： 16  ページ： 6098-6107  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0952A  ISSN： 0024-9297  CODEN： MAMOBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素化ジチエニルエテン構築ブロック,すなわち,ナフタレンジイミド(NDI)がアクセプタ単位として作用するPNFDTE1とPNFDTE2に基づく2つのドナー-アクセプタ共重合体を開発した。熱重量分析は,400°C以上の高分解温度で良好な熱安定性を有する共重合体を示した。広い吸収スペクトルがUV-vis-NIR領域で観察され,吸収極大はPNFDTE1とPNFDTE2でそれぞれ720と724nmであった。サイクリックボルタンメトリー試験は,約-4.0eVの深い最低空分子軌道エネルギー準位を示した。二次元すれすれ入射X線回折パターンは,二つの高分子に対する異なる充填モードが電荷輸送特性の変化をもたらすことを示した。骨格フッ素化は電子注入障壁を効果的に減少させ,それにより電子移動度を促進する。ポリ(エチレンテレフタレート)基板上に作製したPNFDTE1ベースの高分子電界効果トランジスタの空気中で,3.20cm~2V~-1s-1の印象的な電子移動度が達成された。移動度値は,フレキシブル基板上のNDI含有高分子に対して最も高かった。本研究は,電荷輸送極性の制御を可能にするフッ素化半導体の設計と合成の指針を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ドナー ,  半導体 ,  アクセプタ ,  *フッ素化 ,  *移動度 ,  *共重合体 ,  高分子 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  LUMO ,  二次元 ,  熱安定性
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  共重合  (CG04030D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高移動度 ,  nチャネル電界効果トランジスタ ,  フッ素化 ,  共重合体