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J-GLOBAL ID:201902268027735107   整理番号:19A0178346

効率的水酸化反応のためのシリコン光アノードの性能に及ぼすシリコン抵抗率の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Silicon Resistivity on the Performance of Silicon Photoanode for Efficient Water Oxidation Reaction
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 3277-3283  発行年: 2017年 
JST資料番号: W5035A  ISSN: 2155-5435  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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費用効果と高い活性を有する効率的な水酸化触媒の開発は,再生可能エネルギー源の代替経路として水分解を可能にする必要条件である。シリコンは高効率酸素発生反応(OER)の可能性を有する。しかし,OER性能に及ぼすシリコンのドーピング濃度である重要な因子は研究されていない。著者らの結果は,シリコン光アノードの性能がその抵抗率によって著しく影響され,それはドーピング濃度に直接関係することを示した。電子ビーム蒸着法により蒸着した超薄NiFe合金ナノフレーク(2nm厚)と組み合わせて,水酸化のためのNi_xFe_(1-x)/TiO_2/n-Si光アノードを実証した。著者らの結果は,0.5Ωcm-1のSi抵抗率を有する調製したNi_80Fe_20/TiO_2/n-Si光アノードが,触媒としてIrまたはRuを用いた最先端の光アノードに匹敵する1.06V対RHE(η_0=-0.17V)の低い開始電位を有する高い触媒性能を示すことを示した。さらに,水酸化(1.23V対RHE)の可逆電位での光電流密度は約21.5mA cm-2であり,これは大部分の金属/TiO_2/n-Si光アノードより高い。したがって,著者らのNi_80Fe_20/TiO_2/n-Si(0.5)光アノードは,非常に効率的な大規模水分解のために貴金属を置き換える大きな可能性を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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電気化学反応 
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