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J-GLOBAL ID:201902268162423055   整理番号:19A1416652

p型GaAsにおける両極性スピン拡散 スピン拡散が電荷以上の場合【JST・京大機械翻訳】

Ambipolar spin diffusion in p-type GaAs: A case where spin diffuses more than charge
著者 (8件):
資料名:
巻: 122  号:ページ: 095703-095703-8  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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p型GaAsにおける15Kでの電荷とスピンの拡散を調べ,過渡格子とエネルギー分解マイクロルミネセンス測定を組み合わせて広い範囲の光電子密度をカバーした。非常に低い光パワーでは,単極非縮退領域において,電荷とスピンは同じ速度で拡散し,スピン抗力効果が無視できることを意味した。約10~16cm-3までの光電子濃度の増加により,電荷拡散定数は遅い拡散孔との両極性静電相互作用のため減少し,一方,スピン拡散定数は両極性相互作用により弱く減少した。励起パワーの更なる増加は,光電子ガスが縮退するので,Pauli原理の結果として,電荷とスピン拡散定数の両方の増加を引き起こす。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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磁性一般 
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