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J-GLOBAL ID:201902268221732073   整理番号:19A1414092

3端子磁気トンネル接合に用いる複合垂直CoFeB/Gd/CoFeB層の無磁場スピン-軌道トルクスイッチング【JST・京大機械翻訳】

Field-free spin-orbit torque switching of composite perpendicular CoFeB/Gd/CoFeB layers utilized for three-terminal magnetic tunnel junctions
著者 (6件):
資料名:
巻: 111  号:ページ: 012402-012402-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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スピン-軌道トルク(SOT)誘起磁化スイッチングは,エネルギー効率の高いスイッチングを可能にするので,スピントロニクスにおける研究の焦点になっている。界面PMAまたはCo/Ni多層を用いた薄いCo(Fe)とCoFeB層の両方を用いて,二層系における垂直磁気異方性(PMA)を有する材料の無磁場SOT誘起磁化スイッチングを実現するいくつかの実験がなされている。これらのスタックの全ては,大きな飽和磁化(M_S)を有する強磁性体である。ここでは,CoFeB/Gd/CoFeBの多層スタックにおけるSOTスイッチングを実証した。このスタックは良好なPMAと低いM_S(370±20emu/cm3)を示し,CoFeBとGd層は互いに反強磁性的に交換結合している。スピンHallチャネル材料として反強磁性PtMnを用いることにより,約9.6×10~6A/cm2のスイッチング電流密度をもつゼロ磁場でのこのスタックにおいて,SOT誘起磁化スイッチングを実証した。PtMnのスピンHall角も,第二高調波Hall測定を行うことにより,~0.084±0.005と決定された。この層構造は垂直磁気トンネル接合(p-MTJ)と互換性があり,フィールドフリー3端子p-MTJを可能にし,SOTに基づくメモリと論理素子に導くことができた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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金属結晶の磁性 

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