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J-GLOBAL ID：201902268289565912   整理番号：19A1416145

PZT薄膜キャパシタにおける脱分極効果,界面層および疲労挙動間の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Interaction between depolarization effects, interface layer, and fatigue behavior in PZT thin film capacitors

著者 (2件)： Bottger U. (Institut fuer Werkstoffe der Elektrotechnik 2, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany) ,  Waser R. (Institut fuer Werkstoffe der Elektrotechnik 2, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 2  ページ： 024105-024105-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体薄膜における非強誘電領域の存在は,P(E)ヒステリシスループの傾斜をもたらす脱分極効果を引き起こす。ジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)薄膜の測定ヒステリシスの解析を用いて,界面層に関する定量的情報とバルク中の強誘電的に受動的なゾーンを含む偏光解消因子を決定した。誘導された界面静電容量は従来の外挿法から推定されたものより小さい。さらに,脱分極の概念をPZT薄膜の疲労挙動の研究に使用し,効果の原因となるシード抑制の機構が全膜で起こることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 外挿法 ,  強誘電分域 ,  *脱分極 ,  *界面 ,  *相互作用 ,  ヒステリシス ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  偏光解消 ,  静電容量 ,  *薄膜コンデンサ ,  *薄膜
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  強誘電体薄膜 ,  *疲労挙動 ,  *界面層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： PZT ,  薄膜キャパシタ ,  脱分極 ,  界面層 ,  疲労挙動 ,  相互作用