文献

J-GLOBAL ID：201902268312036304   整理番号：19A0180725

広いスペクトル範囲におけるタイプI単層ヘテロ接合の超高速ホットキャリア光起電力【JST・京大機械翻訳】

Ultrafast Hot-Carrier Photovoltaics of Type-I Monolayer Heterojunctions in the Broad Spectral Ranges

著者 (13件)： Sung Ji Ho (Center for Artificial Low Dimensional Electronic Systems, Institute for Basic Science (IBS), Republic of Korea) ,  Sung Ji Ho (Division of Advanced Materials Science, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) ,  Cha Soonyoung (Center for Artificial Low Dimensional Electronic Systems, Institute for Basic Science (IBS), Republic of Korea) ,  Cha Soonyoung (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Republic of Korea) ,  Heo Hoseok (Center for Artificial Low Dimensional Electronic Systems, Institute for Basic Science (IBS), Republic of Korea) ,  Heo Hoseok (Division of Advanced Materials Science, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) ,  Sim Sangwan (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Republic of Korea) ,  Kim Juho (Center for Artificial Low Dimensional Electronic Systems, Institute for Basic Science (IBS), Republic of Korea) ,  Kim Juho (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) ,  Choi Hyunyong (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Republic of Korea) ,  Jo Moon-Ho (Center for Artificial Low Dimensional Electronic Systems, Institute for Basic Science (IBS), Republic of Korea) ,  Jo Moon-Ho (Division of Advanced Materials Science, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) ,  Jo Moon-Ho (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH))
資料名： ACS Photonics  (ACS Photonics)
巻： 4  号： 3  ページ： 429-434  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5045A  ISSN： 2330-4022  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層(ML)半導体スタックにおける強い層間光応答は,層間バンド配列を横切る実質的な光吸収と電荷分離のように,二次元光起電力(PVs)の可能性を示唆する。ここでは,広いスペクトル範囲における光励起ホットキャリアの超高速層間移動によるI型MLヘテロ接合における層間PV変換を報告した。特に,狭いバンドギャップ(E_g)Bi_2Te_3層と大きなE_g MoS_2MLのスタック上の低エネルギー光励起は,Bi_2Te_3層から隣接MoS_2MLの励起子状態への過渡ホットキャリアの層間移動を約70fsの時間スケールで可能にし,層間電荷分離を生じる。それにより,可視から赤外への光照射によりMoS_2MLから実質的な変換効率を達成した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ホットキャリア ,  バンドギャップ ,  赤外線 ,  *ヘテロ接合 ,  励起子 ,  半導体 ,  *スペクトル ,  *単一層 ,  電荷分離 ,  光ポンピング ,  *光起電力 ,  光吸収 ,  二次元
準シソーラス用語： *超高速 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二次元材料 ,  光電池 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  ホットキャリア注入 ,  超高速電荷移動

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： スペクトル ,  タイプ ,  単層 ,  ヘテロ接合 ,  ホットキャリア ,  光起電力