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J-GLOBAL ID：201902268369318920   整理番号：19A0920890

スパッタAlNバッファ層上のAlNの水素化物気相エピタキシャル成長の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of hydride vapor phase epitaxial growth of AlN on sputtered AlN buffer layers

著者 (5件)： Huang Jun (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Ruoshui Road 398, Suzhou Industrial Park, Suzhou 215125, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Niu MuTong ,  Sun MaoSong ,  Su XuJun ,  Xu Ke
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 21  号： 14  ページ： 2431-2437  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタクシーにより作製したAlN厚膜の結晶品質に及ぼすスパッタAlNバッファアニーリング条件の影響を調べた。アニーリングなしでスパッタしたAlNバッファ層上に成長させたAlN厚膜と比較して,アニールしたスパッタAlNバッファ上のAlN厚膜は狭いXRCピークと少ない亀裂を示した。本研究において,亀裂のないAlN厚膜の結晶品質は,1500°Cで2時間アニールしたスパッタAlNバッファ層を用いることにより,最も改善され,(0002)および(1012)面のFWHM値は,それぞれ,28および410arcsecであった。AlN膜の結晶品質の改善は転位の減少に起因すると考えられ,これは最初にアニーリング中のバッファ層の粒成長により生じ,再成長過程での転位の曲がりと相互作用が続いた。さらに,アニールしたスパッタAlNバッファ上のAlN厚膜の亀裂抑制は,AlNとサファイア界面におけるナノボイドの発生に関連した歪緩和によるものと思われる。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  *気相成長 ,  サファイア ,  結晶成長 ,  厚膜 ,  *水素化物 ,  *バッファ層 ,  亀裂 ,  界面 ,  焼なまし ,  FWHM ,  *窒化アルミニウム
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  ナノボイド ,  結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  AlN ,  バッファ層 ,  水素化物 ,  気相エピタキシャル成長 ,  研究