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J-GLOBAL ID：201902268567185387   整理番号：19A1097178

常温接合の系譜と未来

著者 (1件)： 須賀唯知 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
巻： J102-C  号： 3  ページ： 15-23 (WEB ONLY)  発行年： 2019年03月01日 
JST資料番号： U0472A  ISSN： 1881-0217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 表面活性化常温接合に関わる接合のメカニズムを接合の駆動力,表面活性化手法,冷間圧接との比較,接合のしやすさのパラメータ,非平衡界面層の形成,親水化接合との比較,などの観点から整理し,表面活性接合の現状をまとめる.また,標準表面活性化接合に対し,これを拡張し,ガラスなどにも適用可能な拡張表面活性化手法を導入する.また,これらの産業界における適用事例を紹介し,本技術の今後の方向を示す.(著者抄録)

シソーラス用語： *接合 ,  活性化 ,  冷間圧接 ,  表面 ,  境界層 ,  ガラス ,  *事例研究 ,  *需要動向 ,  *流行
準シソーラス用語： 界面層 ,  *将来動向 ,  *常温接合 ,  *適用事例 ,  表面活性化 ,  表面活性化接合 ,  表面親水化

分類 (3件)： 接着  (WC07020V) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  固-固界面  (CB12060M)

引用文献 (38件)：

• 舟久保煕康,赤池正剛,“超高真空中における Al 単結晶の常温圧接に及ぼす接合面での変形の影響について,” 日本金属学会誌,vol.46, no.9, pp.935-943, 1982.
• T. Suga, Y. Takahashi, H. Takagi, B. Gibbesch, and G. Elssner, “Structure of Al-Al and Al-Si₃N₄ interfaces bonded at room temperature by means of the surface activation method,” Acta Metall. Mater., 40, Suppl., pp.S133-S137, 1992.
• 須賀唯知,宮沢薫一,高木秀樹,“表面活性化法による Al およびCu常温接合界面の TEM 観察,” 日本金属学会誌, vol.54, no.6, pp.713-719, 1990.
• Y. Suga, H. Takahashi, and H. Takagi, “Surface activated bonding - an approach to joining at room temperature,” Ceramic Transactions, 35, pp.323-331, 1993.
• F.S. Ohuchi and T. Suga, “Electronic structure of metal/ceramic interfaces fabricated by “Surface Activated Bonding”,” Transactions of the Material Research Society of Japan, vol.16B, pp.1195-1199, 1994.

タイトルに関連する用語 (3件)： 常温接合 ,  系譜 ,  未来