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J-GLOBAL ID：201902268580163278   整理番号：19A1416449

0.6eVと6eVの間のウルツ鉱型GaNの異方性光学定数,複屈折および二色性【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic optical constants, birefringence, and dichroism of wurtzite GaN between 0.6 eV and 6 eV

著者 (5件)： Shokhovets S. (Institute of Physics and Institute of Micro- and Nanotechnologies MacroNano, Technische Universitaet Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau, Germany) ,  Kirste L. (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Leach J. H. (Kyma Technologies Inc., 8829 Midway West Road, Raleigh, North Carolina 27617, USA) ,  Krischok S. (Institute of Physics and Institute of Micro- and Nanotechnologies MacroNano, Technische Universitaet Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau, Germany) ,  Himmerlich M. (Institute of Physics and Institute of Micro- and Nanotechnologies MacroNano, Technische Universitaet Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 4  ページ： 045706-045706-14  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.6eVと6eVの間のスペクトル範囲におけるウルツ鉱型GaNの複屈折と二色性と同様に,室温異方性誘電関数(DF),屈折率,および吸収係数を報告する。水素化物気相エピタクシーにより成長させた結晶から調製した一連のm-及びc-面バルク基板上の分光偏光解析,光学遅延及び透過測定によりそれらを決定した。誘導されたDFの精度は,モザイク関連結晶不完全性の役割,Kramers-Kronig解析に基づく自己整合性試験,および被覆層の種類の影響の調査によって推定される。また,それらの機械的研磨によって導入されたGaN結晶の高度に欠陥のある表面近傍層の光学的性質についても簡単に議論する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  自己整合 ,  不整 ,  被覆層 ,  誘電関数 ,  *異方性 ,  モザイク性 ,  *複屈折 ,  基板 ,  *窒化ガリウム ,  結晶 ,  *光学定数 ,  屈折率 ,  吸収係数
準シソーラス用語： *ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウルツ鉱 ,  GaN ,  異方性 ,  光学定数 ,  複屈折 ,  二色性