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J-GLOBAL ID：201902268734546036   整理番号：19A1375316

イオン注入後に高温高圧処理を施したダイヤモンドの面内元素分布

著者 (10件)： 村上洋平 (愛媛大 工) ,  福田玲 (愛媛大 工) ,  山本直也 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 GRC) ,  松下正史 (愛媛大 工) ,  松下正史 (愛媛大 GRC) ,  新名亨 (愛媛大 GRC) ,  大藤弘明 (愛媛大 GRC) ,  入舩徹男 (愛媛大 GRC)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11a-M113-7  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】ダイヤモンドは物質中で最高の熱伝導度に加え,高い硬度,透明性,絶縁破壊電界や移動度の優れた半導体としての物性を併せ持つ.これにより近年機能性材料としての注目が高まっており,特に電子・ホールともに高い移動度や放熱性の高い物性からは...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *後処理 ,  *ダイヤモンド ,  *元素 ,  *分布 ,  処理 ,  *半導体薄膜 ,  化学蒸着 ,  結晶度 ,  リン ,  アモルファス化 ,  *再結晶 ,  減少 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  *表面欠陥 ,  酸素 ,  単結晶
準シソーラス用語： 高温高圧処理 ,  面内分布 ,  欠陥低減 ,  走査型電子顕微鏡

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  高温高圧 ,  ダイヤモンド ,  元素分布