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J-GLOBAL ID：201902268795418266   整理番号：19A0851732

100nmを超えた第一原理電子輸送へのマルチスケールアプローチ【JST・京大機械翻訳】

Multi-scale approach to first-principles electron transport beyond 100 nm

著者 (5件)： Calogero Gaetano (DTU Physics, Technical University of Denmark, DK-2800 Kongens Lyngby, Denmark. [e-mail] [e-mail]) ,  Papior Nick ,  Koleini Mohammad ,  Larsen Matthew Helmi Leth ,  Brandbyge Mads
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 11  号： 13  ページ： 6153-6164  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多重スケール計算アプローチは,デバイス動作に含まれる異なる長さスケールを捉えることができるので,新しい低次元電子デバイスの研究にとって重要であり,同時に,原子論的量子化学レベルでの表面,欠陥,界面,ゲート,印加バイアスなどの重要な部分を記述する。ここでは,密度汎関数理論(DFT)により記述される多重摂動領域がDFTパラメータ化強束縛モデルにより記述される拡張非摂動領域に埋め込まれる,100nm~2以上の二次元素子における電子電流の計算を可能にする多重スケール法を示した。この方法の詳細を説明し,実例を示し,その実用化に関する主要な課題を指摘した。最後に,走査型トンネル顕微鏡プローブをシミュレートする化学的に正確な接触によって注入された,元の,欠陥のある,そして,ナノ多孔性のグラフェンデバイスにおける電流伝搬を研究するために,それを適用した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  バイアス ,  密度汎関数法 ,  摂動 ,  パラメタリゼーション ,  多重化 ,  *第一原理 ,  電流 ,  二次元 ,  プローブ ,  グラフェン
準シソーラス用語： 強束縛モデル ,  印加電圧 ,  *マルチスケール ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 第一原理 ,  電子輸送