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J-GLOBAL ID:201902268870884299   整理番号:19A1409611

準安定相α-Ga_2O_3/ZnOアイソタイプヘテロ構造に基づく高アバランシェ利得とBias-調整可能な検出機能性を有する太陽ブラインド光検出器【JST・京大機械翻訳】

Solar-Blind Photodetector with High Avalanche Gains and Bias-Tunable Detecting Functionality Based on Metastable Phase α-Ga2O3/ZnO Isotype Heterostructures
著者 (18件):
資料名:
巻:号: 42  ページ: 36997-37005  発行年: 2017年10月25日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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準安定α相Ga_2O_3は,太陽光ブラインド光検出器およびパワーエレクトロニクスデバイスを民間および軍事応用に向けて開発するための新しい材料である。その優れた物理的性質にもかかわらず,準安定相α-Ga_2O_3の高品質エピタクシーは困難なままである。この目的のために,初めて,単結晶α-Ga_2O_3エピ層を,非極性ZnO(1120)基板上に初めて達成し,高性能Au/α-Ga_2O_3/ZnOアイソタイプヘテロ構造ベースのSchottky障壁アバランシェダイオードを実証した。この素子は,1pA以下の暗電流,10~3のUV/可視除去比,9.66×10~12cmHz~1/2W~-1の検出能をもつ自己給電機能を示した。255と375nmのカットオフ波長を持つ二重応答バンドが,それぞれ,-5Vで,0.50と0.071AW-1のピーク応答性で観察された。低バイアスにおける高い光伝導利得はAu/Ga_2O_3とGa_2O_3/ZnOヘテロ界面における障壁効果によって支配される。この素子は,異なる照射条件下での純粋な電子と正孔注入により開始されるアバランシェ増倍過程も可能にする。10~3以上の高いアバランシェ利得と電子と正孔の低いイオン化係数比が得られ,10~5以上の全利得と1.10×10~4AW-1の高い応答性をもたらした。超高利得とバイアス調整可能なUV検出機能を持つこのような雪崩シェヘテロ構造は,高性能太陽ブラインド光検出器の開発に有望である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 

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