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J-GLOBAL ID：201902268882038056   整理番号：19A0515175

高勾配磁場中のイオンチャンネル活性における細胞膜細孔形成と変化【JST・京大機械翻訳】

Cell Membrane Pore Formation and Change in Ion Channel Activity in High-Gradient Magnetic Fields

著者 (3件)： Polyakova Tatyana (Department of Optical and Biophysical Systems, Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, Prague, Czech Republic) ,  Zablotskii Vitalii (Department of Optical and Biophysical Systems, Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, Prague, Czech Republic) ,  Dejneka Alexandr (Department of Optical and Biophysical Systems, Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, Prague, Czech Republic)
資料名： IEEE Magnetics Letters  (IEEE Magnetics Letters)
巻： 8  ページ： ROMBUNNO.1507805.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2299A  ISSN： 1949-307X  CODEN： IMLEA3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高勾配磁場(HGMFs)に曝露した細胞の膜細孔とチャンネル安定性を調べた。HGMFは磁気勾配力を通して細胞膜の応力と変形を発生させるので,伸長活性化と電位依存性イオンチャンネルは有効膜張力(σ)と膜電位(U)の両方によってゲートされる。(σ,U)相図を計算することにより,HGMFを受けた細胞膜中の細孔に対する安定性の予想外の領域を見出した。この領域内では,細胞膜はその完全性を失わず,電場と磁場による細孔形成に対して安定である。著者らの理論的議論は,磁場で処理された細胞における膜イオンチャンネル選択性の変化の予測をもたらす。全体として,結果は,HGMFsが,その機械を駆動するために,セル内の特定の応力場を生成するツールとして使用できることを実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *チャネル ,  *細孔 ,  応力場 ,  *イオンチャンネル ,  磁気 ,  *細胞膜 ,  膜電位 ,  電場 ,  状態図 ,  *磁場 ,  完全性 ,  *磁場勾配
準シソーラス用語： 膜張力 ,  電位依存性 ,  *細孔形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強磁性共鳴,反強磁性共鳴,フェリ磁性共鳴  (BM07030P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 勾配磁場 ,  イオンチャンネル ,  活性 ,  細胞膜 ,  細孔形成