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J-GLOBAL ID：201902269004836808   整理番号：19A2110986

多結晶ビスマスにおけるキャリア散乱の温度依存性【JST・京大機械翻訳】

Temperature dependence of carrier scattering in polycrystalline bismuth

著者 (4件)： Arisaka Taichi (Faculty of Engineering, Saitama University, 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, Japan) ,  Otsuka Mioko (Faculty of Engineering, Saitama University, 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, Japan) ,  Tokitani Masayuki (National Institute for Fusion Science, 322-6, Oroshi, Toki, Gifu 509-5292, Japan) ,  Hasegawa Yasuhiro (Faculty of Engineering, Saitama University, 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 126  号： 8  ページ： 085101-085101-10  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 50~300Kの範囲の温度に対する散乱過程の依存性を,多結晶バルクビスマスを用いて,5つの輸送係数(抵抗率,磁気抵抗率,Seebeck係数,Hall係数,およびNernst係数)を測定することによって包括的に調べた。5つの物理的性質(キャリア密度,電子および正孔移動度,および電子および正孔Fermiエネルギー)の値を,キャリア散乱が音響変形ポテンシャル散乱からイオン化不純物散乱までの範囲にあると仮定して計算した。計算したFermiエネルギーと有効質量テンソルを用いて,キャリアの付随する平均自由行程も評価した。電子後方散乱回折から得られた平均自由行程と粒径(典型的に数μm)は,異なる散乱過程の分布範囲を狭くした。したがって,散乱過程の温度依存性を含む物理的性質を再計算し,電子移動度の現実的な温度依存性を仮定した。定量的および定性的解析により,室温近傍で,音響変形ポテンシャル散乱が支配的であることを示した。これは,推定した平均自由行程が1μmを超えたとき,イオン化不純物散乱に変化した。これは,多結晶バルクビスマスの散乱過程が,散乱過程に関連するNernst係数の測定結果が直接使用されるとき,粒径に依存することを示した。ビスマスのバンドギャップエネルギーも計算し,散乱過程の温度依存性を推定した。結果は,バンドギャップエネルギーの温度依存性傾向が文献で記述されたものと類似していることを示した。最後に,本研究は多結晶ビスマスの物理的性質の温度依存性を提供した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  *温度依存性 ,  *キャリア散乱 ,  平均自由行程 ,  キャリア密度 ,  輸送係数 ,  *ビスマス ,  イオン化 ,  有効質量 ,  *散乱 ,  電気抵抗率 ,  粒径 ,  *多結晶
準シソーラス用語： 不純物散乱 ,  Seebeck係数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多結晶 ,  ビスマス ,  キャリア散乱 ,  温度依存性