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J-GLOBAL ID:201902269021390892   整理番号:19A1998334

イオンビーム支援蒸着によるg-C3N4からの窒化炭素膜の生成

Preparation of carbon nitride films from g-C3N4 by ion-beam-assisted deposition
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 18-00547(J-STAGE)  発行年: 2019年 
JST資料番号: U0484A  ISSN: 2187-9745  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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窒化炭素は,高硬度レベルを含む注目すべき特性を有する。c-C3N4またはβ-C3N4構造を合成することができるならば,ダイヤモンドのそれより高い硬度レベルを得ることができる。超硬窒化炭素の合成における結晶性窒化炭素の成長に及ぼすイオン衝突の影響を明らかにすることは重要である。イオンビーム支援蒸着(IBAD)技術は,蒸着中の原子種のイオンエネルギー,温度,および到達率のようなパラメータを上回る独立した制御を提供する。本研究では,IBADの蒸発源としてグラファイト状窒化炭素を用いて調製した窒化炭素膜の構造と組成を調べた。グラファイト状窒化炭素はプレス成形によりペレットに形成された。蒸発源として200°Cと300°Cで成形したペレットを用いた蒸発により,窒素イオンビームなしで蒸着した膜を得た。蒸発源としてg-C3N4を用いたIBADにより,非晶質窒化炭素膜を得た。窒化炭素膜における主な化学結合は,窒素イオンビームの加速電圧を変えることにより,C-N=CからC-Cに変化した。その結果,膜の硬度は増加した。500Vの加速電圧での膜の硬度は23GPaであった。これはイオンビームの加速電圧に依存して,イオンビームによるCN結合の崩壊に起因する。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  気相めっき 
引用文献 (21件):
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