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J-GLOBAL ID：201902269032701687   整理番号：19A2876252

インダクタ基板を持つ三次元集積GaNベースDC-DCコンバータ【JST・京大機械翻訳】

Three-Dimensional Integrated GaN-based DC-DC Converter with an Inductor Substrate

著者 (6件)： Qi Zhiyuan (Xi’an Jiaotong University,Department of Electrical Engineering,,Xi’an,,China) ,  Zhao Cheng (Xi’an Jiaotong University,Department of Electrical Engineering,,Xi’an,,China) ,  Wang Laili (Xi’an Jiaotong University,Department of Electrical Engineering,,Xi’an,,China) ,  Yang Fengtao (Xi’an Jiaotong University,Department of Electrical Engineering,,Xi’an,,China) ,  Pei Yunqing (Xi’an Jiaotong University,Department of Electrical Engineering,,Xi’an,,China) ,  Zheng Zijie (Xi’an Jiaotong University,Department of Electrical Engineering,,Xi’an,,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ECCE  ページ： 832-838  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般に,電力密度の改善は,スイッチング周波数の増加と三次元(3D)集積技術の使用により達成される。窒化ガリウム(GaN)素子の出現はスイッチング周波数を劇的に増加させ,3D集積の実現を容易にする。3D集積技術を用いることにより,電力変換器の構造を再構成し,高空間充填率を実現し,電力密度を改善した。しかし,空間再構成は磁束分布を変化させ,電力変換器の熱性能に影響を与える。本論文では,電力変換器の残りの部分のための基板として平面インダクタを使用する実証のための例として,3D集積構造の1つを取り上げた。有限要素解析(FEA)ツールを用いて,3D集積GaNベース電力変換器の寄生インダクタンスと熱性能に関する徹底的研究を行い,実験プロトタイプを検証のために構築した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プロトタイプ ,  熱特性 ,  *三次元 ,  *窒化ガリウム ,  磁束分布 ,  電力変換器 ,  再構成
準シソーラス用語： 寄生インダクタンス ,  有限要素解析 ,  スイッチング周波数 ,  電力密度 ,  *三次元集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： インダクタ ,  三次元集積 ,  GaN ,  DC-DCコンバータ