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J-GLOBAL ID：201902269126493378   整理番号：19A1460936

カーボンナノチューブ合成のための低コストスパッタリングプロセス【JST・京大機械翻訳】

Low-Cost Sputtering Process for Carbon Nanotubes Synthesis

著者 (2件)： Thurakitseree Theerapol (Maejo University, Program in Applied Physics, Faculty of Science, Chiang Mai, Thailand) ,  Pakpum Chupong (Maejo University, Program in Applied Physics, Faculty of Science, Chiang Mai, Thailand)
資料名： Applied Mechanics and Materials  (Applied Mechanics and Materials)
巻： 891  ページ： 195-199  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3695A  ISSN： 1660-9336  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それらの素晴らしい性質によると,カーボンナノチューブ(CNTs)は十年にわたって良く知られている。合成プロセスと触媒堆積法は,ナノチューブ構造と特性を制御するために注意を引いた。スパッタリング法は,大量生産におけるナノチューブを成長させるための一つの有望な選択肢である。しかし,この方法は依然として費用がかかる。ここでは,触媒薄膜蒸着のための簡単な低コスト特注DCマグネトロンスパッタリングを示した。Si基板上に堆積した3種類の金属薄膜(Fe,Ni,Cu)を用いてナノチューブの生成を調べた。触媒の堆積前に,Alを支持層として用いた。(Al/Fe,Al/Ni,Al/Cu)。CNTは800°Cで化学蒸着法により成長させた。エタノールを炭素源として予備的に使用した。CNTは,約200nmの直径を持つ本システムにおいて,Al/Ni触媒のみから成功裏に成長でき,残りの試料は観察されなかった。さらに,約10μmの厚さを有する垂直に整列したCNTを,原料の分圧を低下させることにより,エタノールの代わりにアセチレンを置換したときに得ることができた。Ramanスペクトルから1582cm-1の広いGバンドをもつ1338cm-1の大きなDバンドはsp2炭素壁の多層成長を生じる。このような次元は多層カーボンナノチューブの特性であることを示唆する。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 大量生産 ,  触媒 ,  分圧 ,  多層 ,  *カーボンナノチューブ ,  ニッケル ,  金属薄膜 ,  多層カーボンナノチューブ ,  アルミニウム ,  *ナノチューブ ,  Ramanスペクトル ,  アルキン ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： Dバンド ,  炭素源 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： カーボンナノチューブ ,  CNT ,  カスタムメイドDCマグネトロンスパッタリング

分類 (5件)： 杭,杭基礎,矢板式基礎  (RA03080W) ,  気候学,気候変動  (DC05140T) ,  抵抗性  (YH02050K) ,  地震活動  (DC03030L) ,  資源回収利用  (SC05060V)

物質索引 (2件)： アセチレン ,  エタノール

タイトルに関連する用語 (3件)： カーボンナノチューブ ,  スパッタリング ,  プロセス