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J-GLOBAL ID：201902269200087952   整理番号：19A1627267

希土類ドープY型ヘキサフェライトの構造,磁気および電気的研究【JST・京大機械翻訳】

Structural, magnetic and electrical study of rare earth doped Y- type hexaferrites

著者 (10件)： Shakeel Hasnain (Department of Physics, Allama Iqbal Open University, Islamabad, Pakistan) ,  Khan Hasan M. (Department of Physics, The Islamia University of Bahawalpur, Bahawalpur, Pakistan) ,  Ali Irshad (Department of Physics, Bahauddin Zakkariya University, Multan, Pakistan) ,  Ali Khurrum (Department of Physics, University of Agriculture, Faisalabad, Pakistan) ,  Iqbal Muhammad Asif (Department of Physics, National University of Sciences, Islamabad, Pakistan) ,  Sadiq Imran (Centre of Excellence in Solid State Physics, University of the Punjab, Lahore, Pakistan) ,  Murtaza Ghulam (Department of Physics, Government College University, Lahore, Pakistan) ,  Islam M. U. (Department of Physics, Bahauddin Zakkariya University, Multan, Pakistan) ,  Ashiq Muhammad Naeem (Department of Chemistry, Bahauddin Zakariya University, Multan, Pakistan) ,  Nadeem Muhammad (Department of Basic Sciences and Humanities, University of Engineering and Technology, Taxila, Pakistan)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 7  ページ： 6708-6717  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法を用いて,公称組成Sr_2Co_2Fe_12-2xMn_xPr_xO_22(x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)を有する一連の6つのサンプルを合成した。XRD分析は明確なY型六方晶単相構造を明らかにした。結晶サイズ,空隙率,バルク密度,アスペクト比およびX線密度のような特性もXRDパターンにより計算した。結晶サイズは59.6~25.5nmの範囲であった。格子定数aは5.89Åから5.96Åに変化し,格子定数cは43.35Åから43.44Åに変化した。表面形態は,調査した試料のSEM分析により行った。DC抵抗率を計算し,2.86×10~7(Ωcm)~7.47×10~7(Ωcm)の範囲で見出した。誘電定数,誘電損失は印加周波数とともに減少した。誘電定数と誘電損失の値の変化をMaxwell WagnerとKoops現象論理論の助けを借りて説明した。飽和磁化,保持性,調べた試料の保磁力などの磁気特性をVSMにより行った。高抵抗率と低誘電率により,これらの材料は高周波マイクロ波デバイスに対して最良と考えられる。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 飽和磁化 ,  電気抵抗率 ,  *ドーピング ,  六方晶系 ,  *磁気 ,  X線回折 ,  保磁力 ,  誘電損失 ,  結晶 ,  誘電率 ,  アスペクト比 ,  格子定数 ,  空隙率 ,  単相
準シソーラス用語： *ヘキサフェライト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 希土類 ,  ドープ ,  ヘキサフェライト ,  磁気 ,  研究