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J-GLOBAL ID：201902269299834183   整理番号：19A1421768

空格子点欠陥を持つ単層CrS_2の電子的,磁気的および光学的性質【JST・京大機械翻訳】

The electronic, magnetic and optical properties of single-layer CrS₂ with vacancy defects

著者 (3件)： Tian Xing-Hua (College of Physics and Information Technology, Shaanxi Normal University, Xian 710119, Shaanxi, PR China) ,  Tian Xing-Hua (School of Science, Ningxia Medical University, Yinchuan 750004, Ningxia, PR China) ,  Zhang Jian-Min (College of Physics and Information Technology, Shaanxi Normal University, Xian 710119, Shaanxi, PR China)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 487  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算に基づいて,空格子点欠陥の有無にかかわらず,単層CrS_2の電子的,磁気的および光学的性質を系統的に研究した。S空格子点は,考察したS空格子点,Cr空格子点,S_2二重空格子点およびCrS二重空格子点の中で最もエネルギー的に有利な空格子点である。空格子点誘起欠陥状態は,元のバンドギャップ領域に低下し,従って,完全なものと比較して,空格子点を有する単層CrS_2に対して,より小さいバンドギャップが得られた。完全な単層CrS_2は非磁性直接バンドギャップ半導体であるが,磁気半導体はCr空格子点またはCrS二重空格子点を介して得られる。S空格子点とS_2二重空格子点は,バンドギャップが減少した非磁性半導体である。さらに,空格子点を有する単層CrS_2の静的誘電率と静的屈折率は,バンドギャップの減少のため,完全なCrS_2のものよりすべて大きかった。第一主吸収ピークは弱くなり,一方,他の二つの主ピークは空格子点を持つ単層CrS_2に対して全て著しく増強された。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁性半導体 ,  *クロム ,  半導体 ,  *空格子点 ,  屈折率 ,  誘電率 ,  *光学的性質 ,  計算 ,  *磁気 ,  第一原理 ,  バンドギャップ ,  *単一層
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  非磁性 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 単層CrS_2 ,  空孔 ,  電子特性 ,  磁気的性質 ,  光学的性質 ,  第一原理

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 空格子点 ,  欠陥 ,  単層 ,  電子 ,  磁気 ,  光学的性質