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J-GLOBAL ID：201902269354327045   整理番号：19A1414729

硫黄官能基を有する炭素原子のπ共役ジグザグ鎖における光酸化ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Photo-oxidative doping in π-conjugated zig-zag chain of carbon atoms with sulfur-functional group

著者 (2件)： Ikeura-Sekiguchi Hiromi (Research Institute for Measurement and Analytical Instrumentation (RIMA), National Metrology Institute of Japan (NMIJ), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Sekiguchi Tetsuhiro (Materials Science Research Center (MSRC), Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Tokai, Naka, Ibaraki 319-1195, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 23  ページ： 231605-231605-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光酸化ドーピング過程を,正確に制御されたS-官能化ジグザググラフェンナノリボンの化学的代表として,-SCH_3側鎖基を有するtrans-ポリアセチレン骨格について研究した。硫黄K端X線吸収端構造(XANES)分光法により,S-CH_3と大気O_2の光化学反応は,-S(O)CH_3および-SO_3-のような選択的酸化生成物をポリアセチレン(PA)骨格に形成することを示した。硫黄の酸化状態とXANESピーク位置の間の相関を用いて,CH_3Sδ+-PAδの部分電荷分布を推定した。このような正に帯電した硫黄原子は,より高い電気陰性酸素原子を引き付けることができ,光酸化能力を高めることが期待される。-SO_3-側基の形成は明らかにPA骨格への正孔ドーピングの原因である。結果は,UV光支援による原子スケール分子系の面積選択的で制御可能なドーピング過程に対するいくつかの戦略を提供できる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  側鎖 ,  官能化 ,  XANES ,  *硫黄 ,  *折れ線 ,  電荷分布 ,  電気陰性度 ,  紫外線 ,  *光酸化 ,  X線吸収端
準シソーラス用語： 酸素原子 ,  酸化状態 ,  *π共役 ,  *官能基 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硫黄 ,  官能基 ,  炭素原子 ,  π共役 ,  ジグザグ ,  光酸化 ,  ドーピング