高性能銀ナノワイヤハイブリッド電極のためのLangmuirグラフェン膜の選択的機械的移動堆積【JST・京大機械翻訳】

Large Matthew J.; Ogilvie Sean P.; Alomairy Sultan; Alomairy Sultan; Voeckerodt Terence; Myles David; Cann Maria; Chan Helios; Jurewicz Izabela; King Alice A. K.; Dalton Alan B.

文献

J-GLOBAL ID：201902269572649544 整理番号：19A1809905

高性能銀ナノワイヤハイブリッド電極のためのLangmuirグラフェン膜の選択的機械的移動堆積【JST・京大機械翻訳】

Selective Mechanical Transfer Deposition of Langmuir Graphene Films for High-Performance Silver Nanowire Hybrid Electrodes

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資料名：
巻： 33 号： 43 ページ： 12038-12045 発行年： 2017年
JST資料番号： A0231B ISSN： 0743-7463 CODEN： LANGD5 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究では,表面集合Langmuir膜からの機械的移動堆積による少量の元のグラフェンの添加により調製した銀ナノワイヤハイブリッド電極を提示した。この技術は,AgNW膜の光電子性能を修正するための高速,効率的かつ容易な方法である。使用したスタンプの選択的パターン形成による二段階素子製造を行うためにこの技術を使用することが可能であることを実証し,素子を横切る局所シート抵抗の制御された変化をもたらした。これは,任意の大規模で極端に低コストのセンサを製造するのに特に魅力的である。本研究の目的は,酸化インジウムスズ(ITO)の代替としてのAgNW膜の使用を取り巻くいくつかの懸念,すなわち,曲げと環境劣化に対するAgNWの不十分な材料と乏しい安定性を扱うことである。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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コロイド化学一般

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