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J-GLOBAL ID：201902270258588774   整理番号：19A1416448

縮退電子ガスにおけるスピン緩和の研究のためのモンテカルロ法:単層グラフェンへの応用【JST・京大機械翻訳】

Monte Carlo method for studies of spin relaxation in degenerate electron gas: Application to monolayer graphene

著者 (3件)： Borowik Piotr (Warsaw University of Technology, Faculty of Physics, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Poland) ,  Thobel Jean-Luc (Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologies, UMR CNRS 8520, Universite Lille 1, Avenue Poincare, CS 60069, 59652 Villeneuve d’Ascq Cedex, France) ,  Adamowicz Leszek (Warsaw University of Technology, Faculty of Physics, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Poland)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 4  ページ： 045704-045704-11  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン偏極電子ガスの場合のPauli排除原理の効果を説明できるモンテカルロ法を実証した。モデリングは,散乱電子のスピンの方向を説明する電子状態占有の計算を必要とする。応用例として,単分子層グラフェンにおける最初に分極した電子のスピンとエネルギー緩和の場合の計算を行った。モデルはD’yakonov-Perel’とElliot-Yafet緩和機構を含む。電子分布関数とエネルギー緩和はスピン分極緩和に従い,スピン関連散乱過程により主に支配されることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  散乱 ,  *緩和現象 ,  スピン分極 ,  *グラフェン ,  *縮退 ,  分布関数 ,  *モンテカルロ法 ,  電子状態 ,  *電子ガス ,  単分子層
準シソーラス用語： エネルギー緩和 ,  *単層グラフェン ,  *スピン緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピン緩和 ,  研究 ,  モンテカルロ法 ,  単層グラフェン ,  応用