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J-GLOBAL ID：201902270351689881   整理番号：19A0912757

InP光伝導半導体スイッチにより発生した超短電気パルス【JST・京大機械翻訳】

InP photoconductive semiconductor switches generated ultra-short electrical pulse

著者 (1件)： Xiong Chunhua (Univ. of Electronic Science and Technology of China (China))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11052  ページ： 1105206-8  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リン化インジウム(InP)とそのドープ材料のようなIII V化合物半導体は,そのピコ秒(ps)時間応答を有する過渡的高出力光導電性半導体スイッチ(PCSS)を作製するのに非常に適している。InP PCSSを作製し,2000Vまでの入力電圧と2000uJ条件までの光エネルギー下で測定した。実験データを簡単なモデルを用いて説明した。出力電圧は初期段階では光エネルギーの増加とともに最初に増加するが,光学エネルギーが十分大きいとき飽和することを示した。出力電圧は,低い光エネルギー条件の下で入力電圧の増加とともにほぼ直線的に増加するが,光学エネルギーが高いとき,わずかに線形関係を外れる。したがって,本論文は,安定なps次パルスを提供することができる光制御光電子装置を証明した。そして,この装置は超高速電気製品の電源である。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー ,  ピコ秒 ,  光電子 ,  ドーピング ,  *パルス ,  光制御 ,  線形性 ,  *光伝導 ,  *リン化インジウム
準シソーラス用語： 超高速 ,  出力電圧 ,  光エネルギー ,  入力電圧 ,  *電気パルス ,  *半導体スイッチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  光伝導 ,  半導体スイッチ ,  電気パルス