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J-GLOBAL ID：201902270360452707   整理番号：19A0662000

第一原理計算によるCMC_2_1-x_2As_2O(X=Si,Ge,Sn)の特性【JST・京大機械翻訳】

Properties of Cmc2₁-X₂As₂O (X = Si, Ge, and Sn) by First-Principles Calculations

著者 (4件)： Yang Ruike (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an, Shanxi 710071, P.R. China) ,  Ma Yucan (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an, Shanxi 710071, P.R. China) ,  Wei Qun (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an, Shanxi 710071, P.R. China) ,  Zhang Dongyun (National Supercomputing Center in Shenzhen, Shenzhen 518055, P.R. China)
資料名： Zeitschrift fuer Naturforschung A  (Zeitschrift fuer Naturforschung A)
巻： 73  号： 11  ページ： 1025-1035  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0440A  ISSN： 0932-0784  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物Cmc2_1-X_2As_2O(X=Si,GeおよびSn)に対して,安定性を弾性定数およびフォノン分散スペクトルによって検証した。密度汎関数理論(DFT)計算を用いて,構造的,機械的,電子的,光学的性質を調べた。Cmc2_1-X_2As_2Oに対して,[100],[010],[001]方向の機械的強度を研究した。Cmc2_1-Ge_2As_2Oに対するYoung率はCmc2_1-Si_2As_2OおよびCmc_2_1-SN_2As_2Oよりも異方的であった。Cmc2_1-Si_2As_2OとCmc2_1-SN_2As_2Oのバンド構造は,それらが,HSE06ハイブリッド汎関数を用いることによって,2.744と2.201eVのバンドギャップを有する間接バンドギャップ半導体であることを示した。cmc2_1-Ge_2As_2Oは,2.131eVのバンドギャップを有する直接狭バンドギャップ半導体である。[001]方向におけるCmc2_1-Si_2As_2OおよびCmc_2_1-SN_2As_2Oの静的誘電率は,[100]および[010]方向におけるそれらより高かった。[001]方向のCmc2_1-Ge_2As_2Oの静的誘電率は,[100]と[010]方向のそれらより低い。Copyright 2018 Walter de Gruyter GmbH, Berlin/Boston Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  光学的性質 ,  弾性係数 ,  機械的強度 ,  Young率 ,  誘電率 ,  半導体 ,  密度汎関数法 ,  フォノン分散 ,  *スズ ,  スペクトル
準シソーラス用語： 微小ギャップ半導体 ,  間接バンドギャップ ,  ハイブリッド汎関数 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CMC21-x2As2O ,  電子特性 ,  第一原理計算 ,  機械的性質 ,  光学的性質

分類 (1件)： 有機化合物のNMR  (BM07044Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 第一原理計算 ,  Ge ,  Sn