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J-GLOBAL ID:201902270382038365   整理番号:19A1647537

光安定性を改善するための量子ドット上の金属酸化物の急速成長のための自己金属源の犠牲酸化【JST・京大機械翻訳】

Sacrificial oxidation of a self-metal source for the rapid growth of metal oxides on quantum dots towards improving photostability
著者 (13件):
資料名:
巻: 10  号: 27  ページ: 6683-6688  発行年: 2019年 
JST資料番号: U7042A  ISSN: 2041-6539  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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量子ドット(QD)上の金属酸化物層の成長は,QDの光安定性を改善する良い方法と見なされている。しかし,個々のQD上の金属酸化物の直接成長は大きな課題のままである。ここでは,自己金属源戦略の犠牲酸化によりQD表面上に金属酸化物を急速に固定する新しいアプローチを報告する。典型的なコア/シェルQDとして,CdSe/CdSまたはアルミニウムドープCdSe/CdS(CdSe/CdS:Al)QDを選択し,過酸化物(過酸化ベンゾイル)で処理した。自己金属源(カドミウムまたは/およびアルミニウム)は容易に酸化され,酸化カドミウム(CdO)またはアルミニウム/カドミウムハイブリッド酸化物(Al_2O_3/CdO)の急速な成長を,改善された光安定性のために個々のQDの表面上にもたらす。CdOと比較して,Al_2O_3は,水分と酸素に対して優れた障壁特性を有した。したがって,Al_2O_3/CdOハイブリッド層の保護によるCdSe/CdS QDは,非常に優れた光安定性を示した。青色光による強い照射下で,Al_2O_3/CdOハイブリッド層で被覆されたQDは70時間後に元の光ルミネセンス強度の100%を保持したが,未処理CdSe/Cd:Al,処理CdSe/CdSおよびCdSe/CdS QDはそれぞれ65%,45%および5%に低下した。さらに,この方法は,環境大気中で自然に酸化することが困難ないくつかの不活性金属を含む他の金属ドープQD系に拡張でき,多様なオプトエレクトロニクス応用のためのQDを安定化する新しい方法を提供することを実証した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光化学反応  ,  電気化学反応 

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