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J-GLOBAL ID:201902270402343307   整理番号:19A1647244

低次元β-Ga_2O_3における表面空孔による電子および光学特性の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulation of electronic and optical properties by surface vacancies in low-dimensional β-Ga2O3
著者 (10件):
資料名:
巻: 21  号: 27  ページ: 14745-14752  発行年: 2019年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Heyd-Scuseria-Ernzerhof遮蔽ハイブリッド汎関数を用いた計算は,表面空格子点が低次元(LD)β-Ga_2O_3の電子的および光学的性質に及ぼす詳細な影響を明らかにした。空格子点は,酸素状態が表面の価電子バンドを支配するので,電子特性に微妙な変化を示す。表面の誘電関数は空格子点と欠陥と共に増加することが分かった。吸収係数,反射率,屈折率,および電子損失などの光学的性質に及ぼす広い影響は,空格子点欠陥の増加によって見られる。可視および赤外領域の両方は,空格子点と直接相関を示し,一方,深紫外(UV)領域では著しい減少があった。β-Ga_2O_3モデルシステムに関するこれらの計算は,最小化van der Waals力を有する二次元光学素子の合理的設計を導くかもしれない。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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塩基,金属酸化物 
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