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J-GLOBAL ID：201902270584243608   整理番号：19A1408201

Cu表面上のグラフェンにおける二次元励起子光ルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Two-Dimensional Excitonic Photoluminescence in Graphene on a Cu Surface

著者 (13件)： Park Youngsin (Center for Superfunctional Materials, Department of Chemistry and Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Korea) ,  Kim Yooseok (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Korea) ,  Myung Chang Woo (Center for Superfunctional Materials, Department of Chemistry and Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Korea) ,  Taylor Robert Anthony (Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, U.K.) ,  Chan Christopher C. S. (Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, U.K.) ,  Reid Benjamin P. L. (Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, U.K.) ,  Puchtler Tim J. (Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, U.K.) ,  Nicholas Robin J. (Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, U.K.) ,  Singh Laishram Tomba (Center for Superfunctional Materials, Department of Chemistry and Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Korea) ,  Lee Geunsik (Center for Superfunctional Materials, Department of Chemistry and Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Korea) ,  Hwang Chan-Cuk (Beamline Division, Pohang Accelerator Laboratory, Korea) ,  Park Chong-Yun (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Korea) ,  Kim Kwang S. (Center for Superfunctional Materials, Department of Chemistry and Department of Physics, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Korea)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 3  ページ： 3207-3212  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた電気的性質を持つにもかかわらず,グラフェンはそのゼロバンドギャップのために光学素子には不適当である。ここでは,Cu(111)表面上に成長させたグラフェンからの二次元励起子光ルミネセンス(PL)を報告する。これは,3.16eV(半最大≦3meVでの完全幅)と3.18eV付近の多重発光の近くで予想外で著しく鋭い強い発光を示す。温度が上昇すると,これらの発光は青方偏移し,グラフェンの特徴的な負の熱係数を示す。観測されたPLは,Brillouin帯のシフトした鞍点0.525-(M+K)における第一および第二Cu層のグラフェンπおよびCu d軌道の混成により引き起こされたグラフェン中の励起電子の著しく抑制された分散から生じた。この発見は,グラフェンの優れた電気的性質を維持しながら,オプトエレクトロニクスグラフェンデバイスをエンジニアリングするための経路を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光 ,  電気的性質 ,  多重化 ,  光学素子 ,  *銅 ,  Brillouin帯 ,  青方偏移 ,  *励起子 ,  オプトエレクトロニクス ,  *二次元 ,  バンドギャップ ,  *光ルミネセンス ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 励起電子 ,  銅(111) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 励起子 ,  光ルミネセンス ,  グラフェン ,  オプトエレクトロニクス ,  Cu表面

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  グラフェン ,  励起子 ,  光ルミネセンス