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J-GLOBAL ID：201902270622563118   整理番号：19A1408726

電圧制御ホットキャリア注入はGe上のAu島金属膜を用いたOhm接触を可能にする【JST・京大機械翻訳】

Voltage Controlled Hot Carrier Injection Enables Ohmic Contacts Using Au Island Metal Films on Ge

著者 (10件)： Ganti Srinivas (School of Electrical and Electronic Engineering, Newcastle University) ,  King Peter J. (Department of Chemistry, University of Helsinki, Finland) ,  King Peter J. (School of Electrical and Electronic Engineering, Newcastle University) ,  Arac Erhan (School of Electrical and Electronic Engineering, Newcastle University) ,  Dawson Karl (Department of Mechanical, Materials and Aerospace Engineering, School of Engineering, University of Liverpool, United Kingdom) ,  Heikkilae Mikko J. (Department of Chemistry, University of Helsinki, Finland) ,  Quilter John H. (London Low Temperature Laboratory, Royal Holloway University of London, United Kingdom) ,  Murdoch Billy (School of Mechanical and Systems Engineering, Newcastle University) ,  Cumpson Peter (School of Mechanical and Systems Engineering, Newcastle University) ,  O’Neill Anthony (School of Electrical and Electronic Engineering, Newcastle University)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 33  ページ： 27357-27364  発行年： 2017年08月23日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低印加電圧で開始したホットキャリア注入により,Ge上に高伝導率Au島状金属膜(IMF)を用いて説明した低抵抗金属-半導体Ohm接触を作製する新しい方法を紹介した。同じメタライゼーションプロセスは,金属/n-Ge界面で形成されたSchottky障壁を回避するため,同時に,n-Geとp-GeへのOhm接触を可能にする。接触抵抗率の2.5×改善を,n-およびp-半導体の両方に対するオーム接触を達成するための以前の技術について報告した。4.2KでのOhm接触は非平衡電流輸送を確認した。自己集合Au IMFは,Au/Ge共晶温度近傍でのアニーリングによりGeに強く配向した。Au IMFナノ構造はAu層が臨界厚さ以下であることを示した。最適化されたIMF接触は多くの材料システムに適用できることが期待される。金属-半導体接触に対するこの新しいパラダイムを最適化することにより,改良されたナノ電子系の展望と電圧制御ホットホールおよび電子の研究が可能になる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： メタライゼーション ,  *Ohm接触 ,  半導体 ,  *ホットキャリア ,  *電圧制御 ,  非平衡状態 ,  界面 ,  *金 ,  *ゲルマニウム ,  最適化 ,  ナノ構造 ,  *金属薄膜 ,  *キャリア注入 ,  焼なまし
準シソーラス用語： ホットホール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： ホットキャリア ,  電圧制御 ,  島状金属膜 ,  両極性接触 ,  Au-Ge ,  オーム ,  弾道放射 ,  heteroepitaxy

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電圧制御 ,  キャリア注入 ,  Ge ,  Au ,  金属膜 ,  Ohm接触