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J-GLOBAL ID：201902270698554441   整理番号：19A2117535

鉛フリーハロゲン化物ペロブスカイトとしてのCH_3NH_3BiI_3の計算研究【JST・京大機械翻訳】

Computational Study of CH₃NH₃BiI₃ as a Lead Free Halide Perovskite

著者 (2件)： Kumarasinghe K.A.M.M. (Department of Materials Science and Engineering, University of Moratuwa, Katubedda, Moratuwa, SriLanka) ,  Sewvandi Galhenage A. (Department of Materials Science and Engineering, University of Moratuwa, Katubedda, Moratuwa, SriLanka)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： MERCon  ページ： 336-339  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハロゲン化物ペロブスカイト材料は,最近,太陽エネルギー吸収の有望な材料として出現し,連続的で急速な成長研究により,全ての障壁と制限因子を克服している。ここでは,CH_3NH_3PbI_3中のPbを置換するBiの能力を,Vienna Ab-initioシミュレーションパッケージ(VASP)を用いた計算モデリングプロセスを用いて調べた。CH_3NH_3BII_3に対して1.0514eVのバンドギャップが得られたが,CH_3NH_3PbI_3は立方晶および正方晶構造に対してそれぞれ1.524eVおよび1.458eVを示した。CH_3NH_3BII_3の観察された電子移動過程は,CH_3NH_3PbI_3と密接に一致した。本研究では,ペロブスカイト太陽吸収体として使用されるメチルアンモニウムビスマス(MBI)の可能性を調査し,一方,バンドギャップをエンジニアリングし,CH_3NH_3PbI_3のそれと密接に一致させた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ビスマス ,  正方晶系 ,  太陽 ,  太陽エネルギー ,  *鉛 ,  吸収体 ,  電子移動 ,  高速度 ,  *ハロゲン化物 ,  立方晶系 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 計算モデル化 ,  VASP ,  *鉛フリー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 鉛フリー ,  ハロゲン化物 ,  ペロブスカイト ,  計算 ,  研究