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J-GLOBAL ID：201902270827730924   整理番号：19A1889132

酸化イリジウムで修飾した三次元多孔質酸化ニッケルに基づく超B擬キャパシタ【JST・京大機械翻訳】

Superb Pseudocapacitance Based on Three-Dimensional Porous Nickel Oxide Modified with Iridium Oxide

著者 (4件)： Amiri Mona (Department of Chemistry, Lakehead University) ,  Konda Suresh K. (Department of Chemistry, Lakehead University) ,  Keeler Werden (Department of Physics, Lakehead University) ,  Chen Aicheng (Department of Chemistry, Lakehead University)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 49  ページ： 27274-27284  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 環境適合性,より少ない汚染,およびより効率的なエネルギーシステムの必要性は,電池および他のエネルギー貯蔵装置の開発に広範な研究をもたらした。ここでは,高性能擬キャパシタの設計に向けて酸化イリジウム(IrO_2)で修飾した新しい三次元(3D)多孔質ニッケルについて報告する。3D多孔質ニッケルは,同時に形成された水素気泡テンプレートにより支援された容易な電気化学堆積法により,Niプレート上に直接成長させた。電着時間と電流密度の影響を系統的に調べ,3.0Acm-2と150sが最も高い活性表面積を持つ3D多孔質ニッケルの成長の最適条件であり,続いて異なる量のIrO2で修飾されることを明らかにした。電着した3D多孔質Niネットワーク構造は,鋳造イリジウム塩化物前駆体に適合し,その後の熱処理中に形成されたIrO_2を固定するための適切なテンプレートとして役立つ。形成された3D多孔質NiIr(10%)-Ox電極は,高い充放電安定性と高い比静電容量1643Fg(-1)を1.92Ag(-1)で示し,3D多孔質NiOより約175倍高く,平滑Ni基板上に蒸着したIrO_2の95倍以上であった。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *三次元 ,  鋳造 ,  *酸化ニッケル ,  エネルギー貯蔵 ,  *ニッケル ,  電流密度 ,  電着 ,  *酸化イリジウム ,  多孔質体 ,  水素 ,  電池 ,  最適条件 ,  *多孔性 ,  *コンデンサ ,  *イリジウム
準シソーラス用語： 充放電 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  電極過程  (CB07040U) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化イリジウム ,  修飾 ,  多孔質 ,  酸化ニッケル ,  キャパシタ