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J-GLOBAL ID：201902270896881463   整理番号：19A0660743

窒素ドープグラフェン中の電荷輸送におけるElectron-正孔対称性の破れ【JST・京大機械翻訳】

Electron-Hole Symmetry Breaking in Charge Transport in Nitrogen-Doped Graphene

著者 (13件)： Li Jiayu (Bejing Key Laboratory of Quantum Devices, Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, and Department of Electronics, Peking University, P. R. China) ,  Li Jiayu (Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, China) ,  Lin Li (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, P. R. China) ,  Rui Dingran (Bejing Key Laboratory of Quantum Devices, Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, and Department of Electronics, Peking University, P. R. China) ,  Li Qiucheng (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, P. R. China) ,  Zhang Jincan (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, P. R. China) ,  Kang Ning (Bejing Key Laboratory of Quantum Devices, Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, and Department of Electronics, Peking University, P. R. China) ,  Zhang Yanfeng (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, P. R. China) ,  Zhang Yanfeng (Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Peking University, China) ,  Peng Hailin (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, P. R. China) ,  Liu Zhongfan (Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, P. R. China) ,  Xu H. Q. (Bejing Key Laboratory of Quantum Devices, Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, and Department of Electronics, Peking University, P. R. China) ,  Xu H. Q. (Division of Solid State Physics, Lund University, Sweden)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 5  ページ： 4641-4650  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒鉛窒素ドープグラフェンは,窒素原子によるグラフェン格子中の炭素原子の直接置換による格子欠陥の不在により,高い移動度が保存される荷電不純物による無質量Diracフェルミオンの散乱過程を研究するための優れたプラットフォームである。本研究では,高品質グラファイト窒素ドープグラフェンの電気的および磁気輸送測定について報告する。グラフェン中の置換型窒素ドーパントは,電子に対して原子的に鋭い散乱体を導入するが,正孔に対しては長距離Coulomb散乱体を導入することを示した。従って,黒鉛性窒素ドープグラフェンは輸送特性において明確な電子-正孔非対称性を示した。黒鉛窒素ドープグラフェン中の電荷キャリアの支配的な散乱過程を解析した。電子-正孔非対称性は電子と正孔の谷間散乱の明確な差に起因することを示した。また,異なる温度でのグラファイト窒素ドープグラフェンの磁気輸送測定を行い,谷間散乱,谷内散乱,および位相コヒーレント散乱速度の温度依存性を抽出し,議論した。著者らの結果は,グラフェン中の置換型窒素ドーパントにより誘起された谷間散乱における電子-正孔非対称性の証拠を提供し,電子および原子価電子デバイスにおけるグラファイト窒素ドープグラフェンの応用可能性および潜在的応用に関する光を示す。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  *正孔 ,  非対称性 ,  移動度 ,  グラファイト ,  *窒素 ,  ドーパント ,  位相 ,  温度依存性 ,  散乱 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  磁気輸送 ,  *電荷輸送 ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  電荷輸送 ,  谷間散乱 ,  グラファイト窒素ドーピング ,  原子的に鋭い散乱中心

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ドープ ,  グラフェン ,  電荷輸送 ,  正孔 ,  対称性の破れ