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J-GLOBAL ID：201902270914739215   整理番号：19A0515310

ホウ素-酸素欠陥による結晶シリコンの劣化【JST・京大機械翻訳】

Degradation of Crystalline Silicon Due to Boron-Oxygen Defects

著者 (5件)： Niewelt Tim (Solar Cells-Development and Characterization Division, Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Freiburg, Germany) ,  Schon Jonas (Solar Cells-Development and Characterization Division, Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Freiburg, Germany) ,  Warta Wilhelm (Solar Cells-Development and Characterization Division, Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Freiburg, Germany) ,  Glunz Stefan W. (Solar Cells-Development and Characterization Division, Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Freiburg, Germany) ,  Schubert Martin C. (Solar Cells-Development and Characterization Division, Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Freiburg, Germany)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 1  ページ： 383-398  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,ホウ素と酸素の存在に関連する結晶シリコン中の技術的に関連する欠陥グループの現在の理解に関する概観を与える。それはホウ素-酸素欠陥として一般的に扱われ,シリコン素子に影響を及ぼすことが分かっている。その性能は太陽電池のような少数の電荷キャリア拡散長に依存する。欠陥はCzochralski成長p型シリコンにおける一般的な制限であり,それらの再結合活性は電荷キャリア注入下で発達し,従って光誘起劣化として一般的に参照される。効果を調べる多くの研究が発表され,様々な傾向と解釈を導入した。このレビューは,確立された傾向を要約し,議論を単純化するために,欠陥遷移に対する一貫した命名法を提供することを意図する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 拡散距離 ,  *酸素 ,  太陽電池 ,  *ホウ素 ,  簡素化
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  光誘起 ,  結合活性 ,  電荷キャリア ,  *結晶シリコン ,  *酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ホウ素 ,  酸素欠陥 ,  結晶シリコン