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J-GLOBAL ID：201902271045618259   整理番号：19A0999175

ナノスケール応用のためのBi_0.88Sm_0.12FeO_3セラミックにおける電場と温度誘起局所分極スイッチングと圧電応答【JST・京大機械翻訳】

Electric field and temperature induced local polarization switching and piezoresponse in Bi_0.88Sm_0.12FeO₃ ceramics for nanoscale applications

著者 (9件)： Anthoniappen Jesuraj (Department of Physics, University of San Carlos, Talamban Campus, Cebu City 6000, Philippines) ,  Chang Wei Sea (Mechanical Engineering Discipline, School of Engineering, Monash University, Bandar Sunway, Selangor 47500, Malaysia) ,  Chang Wei Sea (Department of Mechanical Engineering, Ming Chi University of Technology, New Taipei City, 24301, Taiwan) ,  Ruiz Flora Mae (Department of Physics, University of San Carlos, Talamban Campus, Cebu City 6000, Philippines) ,  Tu Chi-Shun (Department of Physics, Fu Jen Catholic University, New Taipei City, 24205, Taiwan) ,  Blaise Carvyn Tutong (Mechanical Engineering Discipline, School of Engineering, Monash University, Bandar Sunway, Selangor 47500, Malaysia) ,  Chen Pin-Yi (Department of Mechanical Engineering, Ming Chi University of Technology, New Taipei City, 24301, Taiwan) ,  Chen Cheng-Sao (Department of Mechanical Engineering, Hwa Hsia University of Technology, New Taipei City, 23567, Taiwan) ,  Mana-ay Haidee (Department of Physics, Silliman University, Dumaguete City, 6200, Philippines)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 790  ページ： 587-596  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体材料における分極スイッチングの基本的理解は,強誘電体素子の開発に非常に重要である。圧電応答力顕微鏡(PFM)を用いて,多結晶Bi_0.88Sm_0.12FeO_3セラミックにおいて,電場と温度誘起ナノスケール分極スイッチングを研究した。高分解能シンクロトロンX線回折,Rietveld精密化およびマイクロRamanスペクトルは,室温で菱面体晶R3cおよび斜方晶PbZrO_3様構造の相共存を示した。温度依存Ramanスペクトルは175°Cで非極性Pnma相様振動バンドを示した。PFM振幅と位相画像は,逆配向偏光を持つ不規則な多結晶粒とドメイン境界を明らかにし,それらは相内で180°離れていた。負と正のチップバイアスの段階的適用は,109°分極スイッチングが180°スイッチングに関連する大きな電気的及び活性化エネルギーにより低磁場でより有利であることを示した。異なる温度におけるPFM面内(IP)および面外(OP)画像は,150°Cまで180°ドメイン成長を示した。175°Cでの面内位相コントラストの劇的な変化は,相転移に影響を及ぼす71°強弾性領域の形成を示す。温度依存相と振幅測定は,典型的なヒステリシスと転移温度以下のバタフライループを示し,強誘電体様圧電挙動を示した。175°Cでの振幅値の急激な減少は,圧電応答がほぼゼロになる非極性相への相転移を支持する。しかし,200°Cにおいて非ゼロ圧電応答領域が存在し,強誘電クラスタが非極性相に埋め込まれており,材料をナノスケールレベルで強誘電的に活性化することを意味している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スイッチング ,  強誘電体 ,  三方晶系 ,  *分極反転 ,  *圧電気 ,  非極性 ,  ヒステリシス ,  *電場 ,  *セラミック ,  転移温度 ,  多結晶 ,  *分極 ,  相転移 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 相共存 ,  圧電応答力顕微鏡 ,  相転移 ,  ドメインスイッチング ,  ナノスケール分極

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  応用 ,  セラミック ,  電場 ,  誘起 ,  分極スイッチング ,  圧電応答