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J-GLOBAL ID:201902271100730147   整理番号:19A1888432

ダイヤモンド相(sp3-C)に富むホウ素ドープ炭素ナノ壁(SP2-C):物理化学的および電気化学的性質【JST・京大機械翻訳】

Diamond Phase (sp3-C) Rich Boron-Doped Carbon Nanowalls (sp2-C): Physicochemical and Electrochemical Properties
著者 (10件):
資料名:
巻: 121  号: 38  ページ: 20821-20833  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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プラズマ中の[B]/[C]比によって制御された異なるホウ素ドーピングレベルを持つB-CNWの成長と,得られた材料の構造,表面形態,電気的性質,および-ΔEとk°のような電気化学的パラメータに及ぼすホウ素の影響を調べた。作製したホウ素ドープ炭素ナノウォールはフェリシアニド酸化還元対に対して活性を示し,85mVのピーク分離値に達した。Mott-Schottky関係を用いてB-CNW試料におけるフラットバンド電位とホウ素キャリア濃度を推定した。垂直配向炭素面はp型伝導率と非常に高い正孔アクセプタ濃度(高ドープ試料に対して3.33×10~23cm-3)により特性化され,高い電気伝導率を与えることを示した。B-CNW電極の増強された電気化学的性能は,超高感度検出またはエネルギー貯蔵装置に適用できる有利な特徴である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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