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J-GLOBAL ID：201902271145902627   整理番号：19A0658474

化学蒸着によるグラフェンの成長に関する冷却速度の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of Cooling Rate on the Growth of Graphene via Chemical Vapor Deposition

著者 (7件)： Seo Jihyung (Department of Energy Engineering, School of Energy and Chemical Engineering, Low Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea) ,  Lee Junghyun (Department of Energy Engineering, School of Energy and Chemical Engineering, Low Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea) ,  Jang A-Rang (Department of Chemistry, Department of Energy Engineering, School of Natural Science, Low Dimensional Carbon Materials Center, Center for Multidimensional Carbon Materials, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea) ,  Choi Yunseong (Department of Energy Engineering, School of Energy and Chemical Engineering, Low Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea) ,  Kim Ungsoo (Department of Energy Engineering, School of Energy and Chemical Engineering, Low Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea) ,  Shin Hyeon Suk (Department of Chemistry, Department of Energy Engineering, School of Natural Science, Low Dimensional Carbon Materials Center, Center for Multidimensional Carbon Materials, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea) ,  Park Hyesung (Department of Energy Engineering, School of Energy and Chemical Engineering, Low Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 10  ページ： 4202-4208  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)技術は,大量生産における大きな可能性を有する大面積で均一な合成におけるその能力のために,グラフェンの合成/研究において最も広く使用されている方法の一つになっている。また,単層グラフェンは,その低い炭素溶解度のために銅ベースの触媒基板上に成長できることは良く知られている。しかし,少数層グラフェンパッチは,典型的には,金属基板中の結晶粒界または欠陥サイトで生成され,グラフェン膜の全体的品質を低下させる。種々の因子は,しばしば密接に相関し,CVDプロセスに影響し,従って,グラフェンの特性に影響を及ぼす。本研究では,CVDプロセスにおける冷却速度とグラフェンの一般的性質に及ぼすその影響について詳細な解析を行った。冷却速度の速度によって制御される冷却条件の種々の構成を調べた。いくつかの物理的性質に及ぼすその影響を調べ,冷却速度が高品質単層グラフェンの製造において重要な役割を果たすことを見出した。著者らの観察に基づいて,わずかな数層パッチを有する高品質で連続的な単層グラフェンの合成に成功し,CVDグラフェンの広範な工業的応用を促進することができた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  大量生産 ,  *冷却速度 ,  品質 ,  触媒 ,  *化学蒸着 ,  銅 ,  炭素 ,  基板 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 高品質 ,  金属基板 ,  数層グラフェン ,  単層グラフェン ,  大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学蒸着 ,  グラフェン ,  成長 ,  冷却速度 ,  研究