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J-GLOBAL ID：201902271183746207   整理番号：19A1416107

磁気ポテンシャルにより変調されたトポロジカル絶縁体表面上の電子の一方向透過【JST・京大機械翻訳】

One-way transmission of electrons on the topological insulator surface modulated by magnetic potential

著者 (6件)： Li Jin-Jing (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Rui-Li (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Gao Han-Tian (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Peng Ru-Wen (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Huang R. S. (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang Mu (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 21  ページ： 214301-214301-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気変調ポテンシャルをもつ三次元トポロジカル絶縁体(TI)の表面上のDiracフェルミオンの輸送特性を調べた。伝達行列法を用いて,入射エネルギーと入射角の関数として透過係数を得た。電荷キャリアが斜めに入射するとき,前方および後方伝搬キャリアは,いくつかの入射エネルギーにおいて異なる透過係数を有することを示した。これは,時間反転対称性の破れに起因する。特に,磁気障壁は非対称散乱を導入する。従って,前方および後方伝搬キャリアに対して散乱角は異なる。結果として,一方向における透過は許容され,一方,それはその反転方向においてブロックされる。したがって,電子の一方向透過はTIの表面で達成される。さらに,系の電子電荷分布により一方向透過を実証した。この研究は,TIベースの一方向量子デバイスの設計に応用できる可能性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝達マトリックス法 ,  電荷分布 ,  *磁気 ,  非対称性 ,  散乱 ,  三次元 ,  入射角 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  透過率
準シソーラス用語： 散乱角 ,  電荷キャリア ,  入射エネルギー ,  輸送特性 ,  Diracフェルミオン ,  *磁気ポテンシャル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁気ポテンシャル ,  変調 ,  トポロジカル絶縁体 ,  電子 ,  透過