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J-GLOBAL ID：201902271233687962   整理番号：19A0014633

Gdベース遷移金属アンチモン化物GdTSb(T=Ni,Pt)の電子構造【JST・京大機械翻訳】

Electronic structure of Gd based transition metal antimonides GdTSb (T = Ni, Pt)

著者 (4件)： Sahariya Jagrati (Department of Physics, Manipal University Jaipur, Jaipur, Rajasthan 303007, India) ,  Kumar Pancham (Department of Electrical Engineering, Manipal University Jaipur, Jaipur, Rajasthan 303007, India) ,  Bhamu K. C. (Physical and Materials Chemistry Division, CSIR-National Chemical Laboratory, Pune-411008, India) ,  Soni Amit (Department of Electrical Engineering, Manipal University Jaipur, Jaipur, Rajasthan 303007, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1953  号： 1  ページ： 110010-110010-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶MgAgAs型構造をもつ三元GdNiSbおよびGdPtSb化合物の電子的および磁気的性質を報告した。化合物のエネルギーバンド,状態密度及び原子固有磁気モーメントをGGA+Uアプローチを用いて計算した。GdNiSbは小さなバンドギャップ半導体であるが,GdPtSbは本質的に金属的であることを計算は予測した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アンチモン化物 ,  バンドギャップ ,  立方晶系 ,  磁気的性質 ,  半導体 ,  磁気モーメント ,  状態密度 ,  *電子構造
準シソーラス用語： GGA+U ,  エネルギー帯 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属の結晶構造  (BK06000V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Gd ,  遷移金属 ,  アンチモン化物 ,  Pt ,  電子構造