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J-GLOBAL ID：201902271358071113   整理番号：19A1887555

窒素線欠陥を持つグラフェンにおける調整可能なタイプIとタイプIIのDiracフェルミオン【JST・京大機械翻訳】

Tunable Type-I and Type-II Dirac Fermions in Graphene with Nitrogen Line Defects

著者 (5件)： Zhang Honghong (School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University, Hunan, China) ,  Xie Yuee (School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University, Hunan, China) ,  Zhong Chengyong (School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University, Hunan, China) ,  Zhang Zhongwei (School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University, Hunan, China) ,  Chen Yuanping (School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University, Hunan, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 22  ページ： 12476-12482  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,強く標記のDirac円錐によって特徴付けられるII型Diracフェルミオンが提案されている。新しいフェルミオンは,I型Diracフェルミオンとは異なるユニークな物理的性質を示し,大きな注目を引く。今日まで,すべてのタイプIIフェルミオンは強いスピン結合をもつ重い化合物においてのみ見出される。ここでは,タイプIとタイプIIの両方のDiracフェルミオンが,グラフェン埋め込み窒素線欠陥に存在し,Diracフェルミオンのタイプが,線欠陥間のグラフェンナノリボンのサイズWにより調整できることを提案した。二つのタイプのDiracフェルミオンを比較することにより,それらの異なる物理的性質と起源を直接明らかにした。注目すべきことに,タイプIのDirac点はアームチェア方向に沿ってエッジ状態に対応する一つのFermiアークを誘起するが,タイプIIのDirac点はジグザグ方向に沿った二つのエッジ状態に対応する二つのFermiアークを誘起する。これらの結果は,二次元構造におけるDiracフェルミオンに関する著者らの見解を拡張するだけでなく,エレクトロニクスにおけるそれらの応用を拡張した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子技術 ,  *窒素 ,  折れ線 ,  *フェルミオン ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 二次元構造 ,  Fermiアーク ,  エッジ状態 ,  Dirac点 ,  グラフェンナノリボン ,  スピン結合 ,  Diracコーン ,  *Diracフェルミオン ,  *線欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素 ,  線欠陥 ,  グラフェン ,  タイプ ,  Diracフェルミオン