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J-GLOBAL ID：201902271430857048   整理番号：19A2112480

シリコンフォトニクスにおける横方向漏れ:理論,応用および将来の方向【JST・京大機械翻訳】

Lateral Leakage in Silicon Photonics: Theory, Applications, and Future Directions

著者 (3件)： Nguyen Thach G. (School of Engineering, RMIT University, Melbourne, VIC, Australia) ,  Boes Andreas (School of Engineering, RMIT University, Melbourne, VIC, Australia) ,  Mitchell Arnan (School of Engineering, RMIT University, Melbourne, VIC, Australia)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 26  号： 2  ページ： ROMBUNNO.8200313.1-13  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,リッジ導波路の導波モードとエッチされたクラッドにおける非誘導スラブモードとの間の偏光結合によるシリコンフォトニクスにおける横方向漏れの概観を示した。物理的起源を説明し,この効果が抑制されるかどうかについての洞察を与えた。横方向漏れが新しい共鳴挙動としてどのように現れるかを示し,連続体における束縛状態の状況におけるこの効果を調べた。横方向漏れに基づくデバイスに対する多数の応用をレビューし,新しい世代の偏光マニピュレータ,アンテナおよびフィルタに対する展望を示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 連続体 ,  アンテナ ,  *偏光 ,  マニピュレータ ,  リッジ導波管 ,  導波モード ,  フィルタ ,  共鳴 ,  束縛状態
準シソーラス用語： クラッド層 ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンフォトニクス ,  横方向 ,  理論 ,  応用