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J-GLOBAL ID:201902271458671384   整理番号:19A1888996

ホウ素ドープ多層グラフェンの層間結合挙動【JST・京大機械翻訳】

Interlayer Coupling Behaviors of Boron Doped Multilayer Graphene
著者 (12件):
資料名:
巻: 121  号: 46  ページ: 26034-26043  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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隣接グラフェンシートの層間相互作用が化学ドーピングによってどのように影響されるかを理解することは基本的に重要である。ここでは,Raman活性面内せん断モードにより制御されたホウ素含有量をドープした多層グラフェンの層間結合を調べた。実験結果は,ホウ素含有量が増加するにつれて層間せん断弾性率の著しい低下を明らかにした。これは,分子動力学(MD)シミュレーションによってさらに支持された,拡大した層間間隔の直接的な結果である。ナノインデンテーション試験を行い,ホウ素ドープ二層グラフェンのナノ機械的挙動に及ぼす層間結合挙動の影響を明らかにした。層間すべりがせん断変形の下で誘起されるので,弱いせん断抵抗は滑り過程の間にエネルギー散逸を減少させる。著者らの結果は,ホウ素ドープグラフェンおよびその界面の基本的な機械的性質に対する価値ある洞察を提供し,低エネルギー散逸電気機械デバイスに対する層間結合の調整を可能にする。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  原子・分子のクラスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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