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J-GLOBAL ID：201902271473249366   整理番号：19A0524321

GaNデバイスとフェライトビーズ抑制法に基づくブリッジ構造の振動解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of oscillation in bridge structure based on GaN devices and ferrite bead suppression method

著者 (4件)： Zhao Fangwei (School of Electrical Engineering, Beijing Jiaotong University, Beijing, China) ,  Li Yan (School of Electrical Engineering, Beijing Jiaotong University, Beijing, China) ,  Tang Qing (School of Electrical Engineering, Beijing Jiaotong University, Beijing, China) ,  Wang Lu (School of Electrical Engineering, Beijing Jiaotong University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 391-398  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた電気性能のために,高電圧,高周波および高電力応用において,窒化ガリウム(GaN)新型半導体デバイスが優先される。しかし,GaNデバイスは低いオン抵抗を有し,ループレイアウトは高周波ループにおいて低い減衰を必要とする。これらの両方は,高周波数の下で電圧と電流の振動をもたらし,制御できない振動を引き起こし,特にブリッジ回路における高周波数におけるGaNデバイスの応用を制限する。既存の文献に基づいて,本論文は,振動の発生機構を分析して,受動トランジスタの駆動振動とカスケード構造によって引き起こされた偽ターンオンである2つの振動誘導を提案した。振動誘導に従って,いくつかの方法を提供し,シミュレーションと実験結果により検証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  電気特性 ,  電圧 ,  *窒化ガリウム ,  オン抵抗 ,  電力応用 ,  HF【周波数】 ,  ブリッジ回路 ,  トランジスタ ,  ターンオン ,  半導体素子
準シソーラス用語： 発生機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  フェライト ,  ビーズ ,  ブリッジ ,  振動解析