文献

J-GLOBAL ID：201902271478087237   整理番号：19A1375444

GaN自発分極の第一原理計算による検討

著者 (5件)： 関川卓也 (新潟大) ,  白石賢二 (名古屋大) ,  佐々木進 (新潟大 工) ,  佐々木進 (AMED) ,  大野義章 (新潟大 理)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11a-PB4-17  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： GaN/AlGaN界面を用いるHEMTは,ドーパントを用いずに2次元電子ガスが形成されること等から,GaNでは自発分極が生じていることが示唆されてきた。近年,佐々木らが核スピンをプロー...【本文一部表示】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *自発分極 ,  *計算 ,  *HEMT ,  *界面 ,  *二次元電子ガス ,  分布 ,  電場 ,  ソフトウェア ,  電子構造
準シソーラス用語： *第一原理計算 ,  電荷解析 ,  ポテンシャル分布 ,  OpenMX ,  計算機ソフトウェア

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  自発分極 ,  第一原理計算