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J-GLOBAL ID：201902271511687720   整理番号：19A1063324

トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3およびバンド絶縁体(Bi_0.89In_0.11)_2Se_3における吸収端,Urbachテイルおよび電子-フォノン相互作用【JST・京大機械翻訳】

Absorption edge, urbach tail, and electron-phonon interactions in topological insulator Bi₂Se₃ and band insulator (Bi_0.89In_0.11)₂Se₃

著者 (9件)： Zhu Jiajun (Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, D-01328 Dresden, Germany) ,  Xia Yunyouyou (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Li Gang (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Zhou Shengqiang (Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, D-01328 Dresden, Germany) ,  Wimmer S. (Institut fuer Halbleiterphysik, Johannes Kepler Universitaet at Linz, 4040 Linz, Austria) ,  Springholz G. (Institut fuer Halbleiterphysik, Johannes Kepler Universitaet at Linz, 4040 Linz, Austria) ,  Pashkin A. (Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, D-01328 Dresden, Germany) ,  Helm M. (Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, D-01328 Dresden, Germany) ,  Schneider H. (Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, D-01328 Dresden, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 16  ページ： 162105-162105-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジー絶縁体Bi_2Se_3およびバンド絶縁体(Bi_0.89In_0.11)_2Se_3膜における温度依存吸収端および電子-フォノン(e-ph)相互作用を調べるために,赤外透過分光法を用いた。5Kから300Kへの加熱で,吸収端はBi_2Se_3で262から249meV,(Bi_0.89In_0.11)_2Se_3で367から343meVへシフトした。Urbachテールの温度依存性を解析することにより,e-ph相互作用におけるRaman活性フォノンモードE_g2の重要な役割を同定し,ab initio計算と良く一致した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フォノン ,  *相互作用 ,  赤外線 ,  *吸収端 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  温度依存性 ,  *電子-フォノン相互作用
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  フォノンモード ,  *バンド絶縁体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： トポロジカル絶縁体 ,  バンド絶縁体 ,  吸収端 ,  テイル ,  電子-フォノン相互作用